短暂性脑缺血发作患者事件相关电位研究
短暂性脑缺血发作|事件相关电位|认知损害,关键词：
参见附件(180kb)。
宋永斌；郝舒亮；徐江涛；张富洪；焦岩 兰州军区乌鲁木齐总医院神经内科 乌鲁木齐 830000 中国神经精神疾病杂志 2003 4
关键词：短暂性脑缺血发作；事件相关电位；认知损害
目的研究短暂性脑缺血发作(TIA)患者的事件相关电位(P_(300))的变化,探讨TIA患者的认知损害及可能的机制。方法对31例TIA患者及正常对照组30例,进行简易精神状态检查法(MMSE)、听觉oddball刺激序列P_(300)检测及神经系统查体。数据采用t检验和Spearman等级相关分析。结果TIA组的MMSE评分较低,与对照组比较有显著性差异(P<0.05)。P_3波潜伏期TIA组与对照组比较有显著差异(P<0.01);椎基底动脉系统TIA比颈内动脉系统TIA的P_3波潜伏期延长,有显著性差异(P<0.05);TIA患者的P_3波潜伏期延长与TIA患者的发作次数呈正相关(r=0.383,P<0.01),与MMSE评分呈负相关...
关键词：短暂性脑缺血发作；事件相关电位；认知损害
目的研究短暂性脑缺血发作(TIA)患者的事件相关电位(P_(300))的变化,探讨TIA患者的认知损害及可能的机制。方法对31例TIA患者及正常对照组30例,进行简易精神状态检查法(MMSE)、听觉oddball刺激序列P_(300)检测及神经系统查体。数据采用t检验和Spearman等级相关分析。结果TIA组的MMSE评分较低,与对照组比较有显著性差异(P<0.05)。P_3波潜伏期TIA组与对照组比较有显著差异(P<0.01);椎基底动脉系统TIA比颈内动脉系统TIA的P_3波潜伏期延长,有显著性差异(P<0.05);TIA患者的P_3波潜伏期延长与TIA患者的发作次数呈正相关(r=0.383,P<0.01),与MMSE评分呈负相关...
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