彭斌 李舜伟 汤晓芙 叶健 中国医学科学院中国协和医科大学北京协和医院神经科 100730 中国神经精神疾病杂志 2000 0 26 5


    关键词：记忆功能；诱发电位 期刊 zgsjjsjbzz 0 305-306 论著与学术交流 fur -->


    

【摘要】 目的 探讨事件相关电位(P3)与记忆功能可能存在的关系。方法 对60名正常人分别检测事件相关电位(P3)(潜伏期、波幅和临床记忆量表，采用Spearman相关性分析软件进行分析。结果 P3的潜伏期(FZ，CZ记录点)与记忆商呈显著性负相关，相关系数分别为-0.4040和-0.4135,P3的波幅与记忆商相关性无统计学差异。结论 事件相关电位的潜伏期可对记忆功能的评价起一定的作用。

事件相关电位(P3)作为一种认知电位，已广泛应用于许多疾病的研究，如精神分裂症、痴呆等，但对于事件相关电位在评价记忆功能方面的作用目前尚未有一致意见。国内尚无此方面的研究。本文对此进行初步探讨。

1 资料与方法

     1.1 一般资料 1998年10月至1999年1月 ......