不同发作类型癫痫患者的记忆障碍研究
作者：郭瑞友 史庭慧 唐荣华
单位：430030同济医科大学附属同济医院神经科
关键词：癫痫；记忆；事件相关电位
临床神经病学杂志000117 【摘要】 目的 探讨不同发作类型癫痫患者的记忆损害特征。方法 对30例全面性癫痫(A组)和25例复杂部分性癫痫(B组)病人，用韦氏记忆量表测其记忆商，以听觉“odd ball”序列刺激从Cz点引出P3，测其潜伏期和波幅。结果 A组病人的记忆商、短时、瞬时记忆得分明显低于B组病人，P3波潜伏期较B组明显延长。结论 A组病人的记忆功能，特别是短时、瞬时记忆受损重于B组， P3可辅助癫痫病人的记忆功能评定。
为了探讨不同发作类型癫痫患者的记忆障碍特征，我们自1996年9月～1998年5月对常见发作类型的30例全面性癫痫和25例复杂部分性癫痫患者进行记忆测验和事件相关电位测试，现报告如下。
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1 对象和方法
1.1 对象 (1)癫痫组：年龄16～56岁，平均30.7岁。全面性癫痫组(A组)30例，男19例，女11例，年龄16～54岁，平均18.0岁，病程1～37年，平均12.3年，发作频率每月0～5次，平均每月1.9次，受教育年限3～15年，平均9.7年，EEG异常率56.7%。肌阵挛发作2例，其他为强直-阵挛发作伴或不伴失神发作。影像学及实验室检查均未见异常。复杂部分性发作(B组)25例，男16例，女9例，发病年龄17～56岁，平均15.6岁，病程1～31年，平均13.0年，发作频率每月0～4次，平均每月1.8次，受教育年限2～18年，平均10.2年，EEG异常率72%。由单纯部分性发作转变为复杂部分性发作18例，自动症7例。25例中查到病因6例，其中脑外伤2例，脑肿瘤、脑皮质异位、脑穿通畸形、颞叶局部钙化各1例。服药情况：29例病人服用1种药物，21例服用2种药物，5例未服药物。其中常用药物是丙戊酸钠、卡马西平、勃氏合剂(主要成分是苯巴比妥)和苯妥英钠。所有病人无其他系统严重疾病，神经系统检查正常，且无药物中毒表现。(2)对照组：30例，男21例，女9例，年龄16～52岁，平均30.0岁，受教育年限5～15年，平均11年。无神经系统疾病，神经系统检查正常。与癫痫组相比，年龄及文化程度无显著性差异。
, 百拇医药
1.2 方法
1.2.1 记忆测验 采用龚耀先修订韦氏记忆量表(WMS-RC)测验受试者记忆商(MQ)，MQ分经历、定向、心智(1→100、100→1、积累)、图片回忆、图形再认、联想、触觉记忆、理解、再生和背数共10项。前3个分测验测试受试者长时记忆能力，4～9个分测验测量短时记忆能力，背数则测验瞬时记忆能力。所有病人测验前3日内无癫痫发作。测试过程中，受试者精神状态良好，环境安静，配合测验。执行测验者接受专门训练，严格按手册规定方法操作和计分。
1.2.2 事件相关电位(ERPs)测定 用VikingⅡ电生理检测仪(Nicolet公司)进行测试。要求受试者清醒安静地坐在电屏蔽室内。电极放置参照国际脑电图学会10/20系统法，记录电极置于Fz、Cz、Pz,双耳垂为参考电极，FPz接地，极间电阻<5 Ω。选用“听觉靶/非靶刺激”序列诱发ERPs，其中靶刺激占15%～20%，随机出现于非靶刺激中。刺激频率0.7 Hz,灵敏度100～150 μv，带通0.5～30 Hz，分析时间750 ms。测试过程中监护动眼伪迹。每位受试者重复两次，允许计数误差不超过3次。测量Cz点的平均潜伏期和波幅(峰峰值)，潜伏期以对照组
+2.5s为正常上限，波幅-2.5s为正常下限。记忆测验与ERPs检测间隔时间不超过1周。
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2 结果
2.1 记忆测验结果 韦氏记忆测验结果见表1。结果显示，A组病人的MQ、短时及瞬时记忆能力得分明显低于B组病人，而长时记忆得分无明显差异。
表1 两组病人记忆力测验结果(±s) 测验项目
A组
B组
P值
MQ
75.45±24.60
86.12±26.76
<0.01
, 百拇医药
经历
4.79±0.30
4.91±0.21
定向
5.00±0.00
5.00±0.00
1→100
8.12±2.03
8.56±2.10
100→1
7.58±3.35
8.03±4.12
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积累
8.43±3.03
8.19±3.56
图片回忆
7.05±2.64
8.91±4.30
<0.01
图形再认
7.49±3.51
8.84±2.05
<0.01
再 生
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8.25±2.57
8.91±3.53
<0.05
联 想
7.22±3.51
7.56±3.44
触觉记忆
6.06±4.10
7.13±2.91
<0.01
理 解
6.79±3.48
, 百拇医药
7.58±3.60
<0.05
背 数
7.15±3.44
8.13±2.86
<0.01
2.2 ERPs结果 见表2。两组患者N2、P3潜伏期较对照组明显延长，P3波幅无明显差异。A组病人P3潜伏期较B组病人显著延长。A组病人P3潜伏期延长者16例(53.3%)，B组10例(40%)。N2潜伏期延长者A组12例(40%)，B组7例(28%)。表2 全面性癫痫与复杂部分性发作组
, 百拇医药 ERPs测试结果(±s)
N2潜伏期(ms)
P3潜伏期(ms)
P300波幅(μV)
A组
249.52±68.40*
368.14±85.46*#
7.25±3.54
B组
, 百拇医药 236.50±81.27*
346.16±84.83*
7.91±3.44
对照组
188.50±53.15
326.18±42.48
7.68±2.86
与对照组比较* P<0.01,与B组比较# P<0.01
3 讨论
本研究比较了全面性癫痫和复杂部分性癫痫病人的记忆测验结果和P3潜伏期，结果显示：前者的记忆商,短时、瞬时记忆能力明显低于后者，而长时记忆能力无显著性差异。前者P3波潜伏期较后者明显延长，波幅无差异。有研究表明，全面性癫痫患者脑组织透析液中可见谷氨酸显著升高，足可对正常神经细胞产生毒性作用[1]。血清和脑脊液中神经元特异性烯醇酶活性升高，此酶是神经元受损的一个标志物[2]。发作频繁的颞叶癫痫(构成复杂部分性癫痫的绝大部分)可引起海马CA1、CA3区锥体细胞、齿状回颗粒细胞脱失，胶质细胞增生，MRI表现为海马体积减小，T2驰豫时间延长[3]。上述变化可能是病人记忆力受损的病理基础。
, 百拇医药
记忆力是大脑认知能力的重要组成部分，是由包括颞叶及其他脑区在内的一个网络系统所介导，致痫灶可通过阻断网络间某些重要的联系来干扰记忆活动。尽管网络概念意味着记忆功能是由不同脑区及其相互联系的纤维共同完成，但大脑各部位在记忆活动中的作用并不均衡。例如，左额、颞、顶区与背数有关，左裂周区与词语记忆有关，这些证据支持短时记忆过程发生在新皮层[4]。全面性癫痫发作开始即累及双侧大脑半球，意识首先丧失，且多数呈强直-阵挛发作，完全可能造成对缺血、缺氧敏感的大脑皮层的广泛损害。由此影响病人的短时、瞬时记忆能力，从而使总的记忆功能受损较重。复杂部分性癫痫的病灶多位于一侧颞叶海马、扣带回、杏仁核等边缘系统，这些结构主要与记忆的长期巩固、储存有关[5]。但本研究并未发现其长时记忆较前者更易受损。有研究表明[6]，部分颞叶癫痫病人在发作期间，对简单命令可作出反应；部分自动症病人的意识、反应性、对事件的记忆能力尚能保持完整。这可能与记忆功能受损相对较轻是一致的。
ERPs(主要成分是P3)是反映认知功能比较可靠的客观指标，已广泛用于病人认知功能的研究。Grippo报告了两组在病灶、发作形式和智商等方面一致的癫痫病人，发现存在短时记忆障碍组ERPs某些成分的潜伏期明显延长[7]。对健康受试者的研究亦发现，不同形式的记忆刺激，引出P3潜伏期不同[8]。可见记忆过程参与了ERPs的形成。本研究亦发现，记忆力受损较重的A组病人P3潜伏期延长更显著，与国外对两类儿童患者的研究结果一致[9]。P3潜伏期与记忆商，特别是短时记忆能力的平行性变化，说明P3有可能成为癫痫病人记忆活动的辅助评定方法。成套记忆测验分类细致，功能齐全，而P3测试无语言、文字、动作等要求，不受文化限制，需要时间短，两者结合应用可相互补充，提高人们对癫痫病人记忆障碍的认识。
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参 考 文 献
1，During MJ, Spenser DD. Extrancellular hippocampal glutamate and spontaneous seisure in the concious human brain. Lancet, 1993, 341:1607
2，Rabinowicz AL, Correale JD, Brach KA, et al. Neuron-specific enolase is increased after non-convulsive status epilepticus. Epilepsia, 1995, 36:475
3，Kalviainen R, Salmenpera T, Partanen K, et al. Recurrent seizures may cause hippocampal damage in temporal lobe epilepsy. Neurology, 1998, 50:1377
, 百拇医药
4，Perani D, Bress S, Cappa SF,et al. Evidence of multiple memory system in human brain. Brain, 1993, 111:903
5，Squire LR. Memory and the hippocampus:a sythesis from findings with rats,monkeys and humans. Psychol Rev, 1992, 99:195
6，Ebner A, Dinner DS, Noachtar, et al. Automatisms with preserved responsiveness. A lateralizing sign in psychomotor seizure. Neurology, 1995, 45:61
7，Grippo A, Pelosi L, Mehta V, et al. Working memory in temporal lobe epilepsy:an event-related potential study. Electroencephologr Clin Neurophysiol,1996, 99:200
, 百拇医药
8，Chao LL, Bohlman LN, Knight RT. Auditory event-related potentials dissociate early and late memory processes. Electroence Clin Neurophysi, 1995,96:157
9，Sunaga Y,Hikima A, Otsuka T, et al. P300 event-related potentials in epileptic children. Clin Electroencephalogr, 1994, 25:13
收稿1999-06-15 修回1999-09-21, 百拇医药
单位：430030同济医科大学附属同济医院神经科
关键词：癫痫；记忆；事件相关电位
临床神经病学杂志000117 【摘要】 目的 探讨不同发作类型癫痫患者的记忆损害特征。方法 对30例全面性癫痫(A组)和25例复杂部分性癫痫(B组)病人，用韦氏记忆量表测其记忆商，以听觉“odd ball”序列刺激从Cz点引出P3，测其潜伏期和波幅。结果 A组病人的记忆商、短时、瞬时记忆得分明显低于B组病人，P3波潜伏期较B组明显延长。结论 A组病人的记忆功能，特别是短时、瞬时记忆受损重于B组， P3可辅助癫痫病人的记忆功能评定。
为了探讨不同发作类型癫痫患者的记忆障碍特征，我们自1996年9月～1998年5月对常见发作类型的30例全面性癫痫和25例复杂部分性癫痫患者进行记忆测验和事件相关电位测试，现报告如下。
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1 对象和方法
1.1 对象 (1)癫痫组：年龄16～56岁，平均30.7岁。全面性癫痫组(A组)30例，男19例，女11例，年龄16～54岁，平均18.0岁，病程1～37年，平均12.3年，发作频率每月0～5次，平均每月1.9次，受教育年限3～15年，平均9.7年，EEG异常率56.7%。肌阵挛发作2例，其他为强直-阵挛发作伴或不伴失神发作。影像学及实验室检查均未见异常。复杂部分性发作(B组)25例，男16例，女9例，发病年龄17～56岁，平均15.6岁，病程1～31年，平均13.0年，发作频率每月0～4次，平均每月1.8次，受教育年限2～18年，平均10.2年，EEG异常率72%。由单纯部分性发作转变为复杂部分性发作18例，自动症7例。25例中查到病因6例，其中脑外伤2例，脑肿瘤、脑皮质异位、脑穿通畸形、颞叶局部钙化各1例。服药情况：29例病人服用1种药物，21例服用2种药物，5例未服药物。其中常用药物是丙戊酸钠、卡马西平、勃氏合剂(主要成分是苯巴比妥)和苯妥英钠。所有病人无其他系统严重疾病，神经系统检查正常，且无药物中毒表现。(2)对照组：30例，男21例，女9例，年龄16～52岁，平均30.0岁，受教育年限5～15年，平均11年。无神经系统疾病，神经系统检查正常。与癫痫组相比，年龄及文化程度无显著性差异。
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1.2 方法
1.2.1 记忆测验 采用龚耀先修订韦氏记忆量表(WMS-RC)测验受试者记忆商(MQ)，MQ分经历、定向、心智(1→100、100→1、积累)、图片回忆、图形再认、联想、触觉记忆、理解、再生和背数共10项。前3个分测验测试受试者长时记忆能力，4～9个分测验测量短时记忆能力，背数则测验瞬时记忆能力。所有病人测验前3日内无癫痫发作。测试过程中，受试者精神状态良好，环境安静，配合测验。执行测验者接受专门训练，严格按手册规定方法操作和计分。
1.2.2 事件相关电位(ERPs)测定 用VikingⅡ电生理检测仪(Nicolet公司)进行测试。要求受试者清醒安静地坐在电屏蔽室内。电极放置参照国际脑电图学会10/20系统法，记录电极置于Fz、Cz、Pz,双耳垂为参考电极，FPz接地，极间电阻<5 Ω。选用“听觉靶/非靶刺激”序列诱发ERPs，其中靶刺激占15%～20%，随机出现于非靶刺激中。刺激频率0.7 Hz,灵敏度100～150 μv，带通0.5～30 Hz，分析时间750 ms。测试过程中监护动眼伪迹。每位受试者重复两次，允许计数误差不超过3次。测量Cz点的平均潜伏期和波幅(峰峰值)，潜伏期以对照组
+2.5s为正常上限，波幅-2.5s为正常下限。记忆测验与ERPs检测间隔时间不超过1周。, http://www.100md.com
2 结果
2.1 记忆测验结果 韦氏记忆测验结果见表1。结果显示，A组病人的MQ、短时及瞬时记忆能力得分明显低于B组病人，而长时记忆得分无明显差异。
表1 两组病人记忆力测验结果(
±s) 测验项目A组
B组
P值
MQ
75.45±24.60
86.12±26.76
<0.01
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经历
4.79±0.30
4.91±0.21
定向
5.00±0.00
5.00±0.00
1→100
8.12±2.03
8.56±2.10
100→1
7.58±3.35
8.03±4.12
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积累
8.43±3.03
8.19±3.56
图片回忆
7.05±2.64
8.91±4.30
<0.01
图形再认
7.49±3.51
8.84±2.05
<0.01
再 生
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8.25±2.57
8.91±3.53
<0.05
联 想
7.22±3.51
7.56±3.44
触觉记忆
6.06±4.10
7.13±2.91
<0.01
理 解
6.79±3.48
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7.58±3.60
<0.05
背 数
7.15±3.44
8.13±2.86
<0.01
2.2 ERPs结果 见表2。两组患者N2、P3潜伏期较对照组明显延长，P3波幅无明显差异。A组病人P3潜伏期较B组病人显著延长。A组病人P3潜伏期延长者16例(53.3%)，B组10例(40%)。N2潜伏期延长者A组12例(40%)，B组7例(28%)。表2 全面性癫痫与复杂部分性发作组
, 百拇医药 ERPs测试结果(
±s)N2潜伏期(ms)
P3潜伏期(ms)
P300波幅(μV)
A组
249.52±68.40*
368.14±85.46*#
7.25±3.54
B组
, 百拇医药 236.50±81.27*
346.16±84.83*
7.91±3.44
对照组
188.50±53.15
326.18±42.48
7.68±2.86
与对照组比较* P<0.01,与B组比较# P<0.01
3 讨论
本研究比较了全面性癫痫和复杂部分性癫痫病人的记忆测验结果和P3潜伏期，结果显示：前者的记忆商,短时、瞬时记忆能力明显低于后者，而长时记忆能力无显著性差异。前者P3波潜伏期较后者明显延长，波幅无差异。有研究表明，全面性癫痫患者脑组织透析液中可见谷氨酸显著升高，足可对正常神经细胞产生毒性作用[1]。血清和脑脊液中神经元特异性烯醇酶活性升高，此酶是神经元受损的一个标志物[2]。发作频繁的颞叶癫痫(构成复杂部分性癫痫的绝大部分)可引起海马CA1、CA3区锥体细胞、齿状回颗粒细胞脱失，胶质细胞增生，MRI表现为海马体积减小，T2驰豫时间延长[3]。上述变化可能是病人记忆力受损的病理基础。
, 百拇医药
记忆力是大脑认知能力的重要组成部分，是由包括颞叶及其他脑区在内的一个网络系统所介导，致痫灶可通过阻断网络间某些重要的联系来干扰记忆活动。尽管网络概念意味着记忆功能是由不同脑区及其相互联系的纤维共同完成，但大脑各部位在记忆活动中的作用并不均衡。例如，左额、颞、顶区与背数有关，左裂周区与词语记忆有关，这些证据支持短时记忆过程发生在新皮层[4]。全面性癫痫发作开始即累及双侧大脑半球，意识首先丧失，且多数呈强直-阵挛发作，完全可能造成对缺血、缺氧敏感的大脑皮层的广泛损害。由此影响病人的短时、瞬时记忆能力，从而使总的记忆功能受损较重。复杂部分性癫痫的病灶多位于一侧颞叶海马、扣带回、杏仁核等边缘系统，这些结构主要与记忆的长期巩固、储存有关[5]。但本研究并未发现其长时记忆较前者更易受损。有研究表明[6]，部分颞叶癫痫病人在发作期间，对简单命令可作出反应；部分自动症病人的意识、反应性、对事件的记忆能力尚能保持完整。这可能与记忆功能受损相对较轻是一致的。
ERPs(主要成分是P3)是反映认知功能比较可靠的客观指标，已广泛用于病人认知功能的研究。Grippo报告了两组在病灶、发作形式和智商等方面一致的癫痫病人，发现存在短时记忆障碍组ERPs某些成分的潜伏期明显延长[7]。对健康受试者的研究亦发现，不同形式的记忆刺激，引出P3潜伏期不同[8]。可见记忆过程参与了ERPs的形成。本研究亦发现，记忆力受损较重的A组病人P3潜伏期延长更显著，与国外对两类儿童患者的研究结果一致[9]。P3潜伏期与记忆商，特别是短时记忆能力的平行性变化，说明P3有可能成为癫痫病人记忆活动的辅助评定方法。成套记忆测验分类细致，功能齐全，而P3测试无语言、文字、动作等要求，不受文化限制，需要时间短，两者结合应用可相互补充，提高人们对癫痫病人记忆障碍的认识。
, http://www.100md.com
参 考 文 献
1，During MJ, Spenser DD. Extrancellular hippocampal glutamate and spontaneous seisure in the concious human brain. Lancet, 1993, 341:1607
2，Rabinowicz AL, Correale JD, Brach KA, et al. Neuron-specific enolase is increased after non-convulsive status epilepticus. Epilepsia, 1995, 36:475
3，Kalviainen R, Salmenpera T, Partanen K, et al. Recurrent seizures may cause hippocampal damage in temporal lobe epilepsy. Neurology, 1998, 50:1377
, 百拇医药
4，Perani D, Bress S, Cappa SF,et al. Evidence of multiple memory system in human brain. Brain, 1993, 111:903
5，Squire LR. Memory and the hippocampus:a sythesis from findings with rats,monkeys and humans. Psychol Rev, 1992, 99:195
6，Ebner A, Dinner DS, Noachtar, et al. Automatisms with preserved responsiveness. A lateralizing sign in psychomotor seizure. Neurology, 1995, 45:61
7，Grippo A, Pelosi L, Mehta V, et al. Working memory in temporal lobe epilepsy:an event-related potential study. Electroencephologr Clin Neurophysiol,1996, 99:200
, 百拇医药
8，Chao LL, Bohlman LN, Knight RT. Auditory event-related potentials dissociate early and late memory processes. Electroence Clin Neurophysi, 1995,96:157
9，Sunaga Y,Hikima A, Otsuka T, et al. P300 event-related potentials in epileptic children. Clin Electroencephalogr, 1994, 25:13
收稿1999-06-15 修回1999-09-21, 百拇医药