对P3峰值进行重复测量的方差分析，结果表明记忆负荷主效应显著，F(2, 38)=10.854，P<0.001，随着记忆负荷逐步增加，P3波幅逐渐下降；电极主效应显著，F(4, 68)=9.145，P<0.001，0、1、2三种负荷水平下均为Pz点的P3波幅最大，分别为(11.95±5.44)μV、(10.71±4.61)μV、(7.91±5.88)μV；负荷×电极交互效应显著：F(6，106)=2.966, P<0.05。简单效应表明，0-back的P3波幅显著高于1-back及2-back，F(1, 19)=6.390，P<0.05，F(1, 19)=14.875，P<0.01，而1-back的P3波幅又显著高于2-back，F(1, 19)=7.598，P<0.05。

    对P3峰潜伏期进行重复测量方差分析，电极主效应显著，F(4, 80)=4.315，P<0.01，0-back任务中Pz的峰潜伏期最长(432.7±51.62)ms；而在1、2两种负荷水平下，均为P3的峰潜伏期最长，分别为(418.9±48.17)ms和(434.3±63.75)ms，未发现显著的记忆负荷主效应及负荷×电极的交互效应。

    2.3 差异波N450成分及其脑电地形图

    用较高记忆负荷的ERP波形减去较低记忆负荷的ERP波形，得到1-0、2-0、2-1三类差异波(见图2)，三类差异波均包含分布于300ms-700ms时段一明显的差异负成分N450 ......