阿枫

    本文主人公黄令仪

    经历挫折暗下决心，设计出高水平的中国芯片

    黄令仪，中科院院士，1936年出生于广西南宁。她在抗战中长大，随新中国一起成长，1958年华中工业大学毕业后，进入清华大学半导体专业深造，因为表现出色，于1962年加入中科院。自此，黃令仪与微电子结下了不解之缘。

    1977年，中科院计算所引入了一个“电路预研”项目，黄令仪被点名负责集成电路、器件工艺和芯片研制这几方面的工作。集成电路是芯片的基础，芯片运行的快慢、功耗大小，全靠集成电路设计。为了让自己设计的芯片能投产，黄令仪在对比不同电路的特性方面下了大功夫：ECL运行速度快，但功耗太大，不要;CMOS成品率低，不要;I2L速度太慢，也不行!市面上主流的集成电路都不行，怎么办？

    黄令仪思前想后，用了一个“笨办法”：把决定集成电路功耗、速度的关键环节一个一个拆解开，逐个突破。

    当时，她和研究小组成员整天泡在办公室，一人拿着几个版图来回对比，直到把主流集成电路的器件原理、工艺原理完全摸透了，才研究出一种新型的“I2L结构”，用这种结构做出的一款256ROM内存芯片，获得了1980年院科技成果奖二等奖。

    1984年正当晶体管研发已有很大进展的时候 ......