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编号:12050231
半导体激光对牙髓炎患者急性反应的影响
http://www.100md.com 2009年11月1日 《医学信息·下旬刊》 2009年第11期
     [摘要]半导体激光属于低功率激光,具有输出功率稳定、穿透深、携带方便,激光被组织吸收后产生的热能和化学能非常小,不会伤害组织,具有局部外照射效果明显的独特优势,适用于牙科患者预防或缓解根管治疗急性反应。

    [关键词]半导体激光照射;牙根尖周炎

    [中图分类号]R781.31

    [文献标识码]B

    [文章编号]1006-1959(2009)11-0256-01

    牙髓炎或牙根尖周炎患者在临床治疗中,易发生以疼痛和肿胀等特点为主的根管治疗急性反应(EIAE),发生率可达11%~40%[1]。应用激光照射缓解根管治疗急性反应有明显效果。本文应用半导体激光,采取牙根管外照射方法,观察比较激光照射预防或缓解根管治疗的急性反应。结果报告如下。

    1 一般资料

    选取本院口腔科2005~2008年进行根管治疗的患者150例,包括确诊为慢性根尖周炎、慢性牙髓炎或牙髓坏死等牙齿疾病;要求无牙周病,无糖尿病等其他系统性疾病 ......

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