ＡＭＤ发布晶体管提速技术
AMD公司最近对外界展示了其最新的晶体管技术——采用金属镍的晶体管电门技术，以及SOI(绝缘硅)技术。据AMD公司介绍，这两项新技术会将新一代Opteron处理器中的晶体管性能提升30%以上。
在此前，早有消息说AMD会在其未来的处理器中采用金属镍，以代替传统的硅材料来生产晶体管。AMD此次公布的技术则采用了镍的硅化物作为晶体管电门的材料。
SOI技术在晶体管的电流通道周围加入绝缘材料，以减少晶体管中的电流向外泄漏，从而降低功耗、提升性能。AMD开发的技术则称之为FDSOI(Fully Depleted SOI，完全绝缘硅)，据称可以让电门获得对整个晶体管的更多控制权，紧缩的电门将晶体管内的电流与外界隔离得更加严格。FDSOI晶体管与镍金属电门的组合，是将晶体管的性能大幅提升的关键：金属电门的构造，使其中的绝缘体层能比传统的多晶硅电门下的绝缘体层做得更薄，从而在不需要增大电门的情况下，让更多的电流得以通过电门，也就是在晶体管集成度不变的情况下能提升处理器的速度。
AMD还公布了镍金属电门和硅锗技术在晶体管中被组合采用时所产生的效果，据称这也会让处理器获得意想不到的性能提升。, http://www.100md.com(陈宏林)
在此前，早有消息说AMD会在其未来的处理器中采用金属镍，以代替传统的硅材料来生产晶体管。AMD此次公布的技术则采用了镍的硅化物作为晶体管电门的材料。
SOI技术在晶体管的电流通道周围加入绝缘材料，以减少晶体管中的电流向外泄漏，从而降低功耗、提升性能。AMD开发的技术则称之为FDSOI(Fully Depleted SOI，完全绝缘硅)，据称可以让电门获得对整个晶体管的更多控制权，紧缩的电门将晶体管内的电流与外界隔离得更加严格。FDSOI晶体管与镍金属电门的组合，是将晶体管的性能大幅提升的关键：金属电门的构造，使其中的绝缘体层能比传统的多晶硅电门下的绝缘体层做得更薄，从而在不需要增大电门的情况下，让更多的电流得以通过电门，也就是在晶体管集成度不变的情况下能提升处理器的速度。
AMD还公布了镍金属电门和硅锗技术在晶体管中被组合采用时所产生的效果，据称这也会让处理器获得意想不到的性能提升。, http://www.100md.com(陈宏林)