三门晶体管逼近现实
9月18日，在日本东京召开的国际固态电子组件及材料会议(International Conference on Solid State Devices and Materials)上，AMD公司发布了其三门晶体管(triple-gate transistors)技术，该晶体管应用了SOI(绝缘硅) 和金属门技术。
AMD的研究人员称，他们目前进行的研究是在最大化增强晶体管开关性能的同时降低功耗，这需要将几种最新的技术运用在一个独立的结构上。作为微处理器的主要工作部件，晶体管是一些微小的开关，它们控制着电流的开与关。因此，性能更好的晶体管在很大程度上意味着性能更好的微处理器。
一种运用了完全衰竭绝缘硅(fully depleted silicon-on-insulator，FDSOI)技术的极细的电子通道是这种三门晶体管的关键部分之一，它将围绕在由镍硅合金制成的闸极的3个侧面外。这种结合了FDSOI技术和镍硅合金闸极的晶体管将增强硅晶格中携带电子的能力。
进一步说，多门以及FDSOI的结构将增强晶体管中电子通路的有效宽度并能够提供更好的控制电子的能力。这些均能使晶体管的整体性能有明显增强。
AMD这项设计的性能比任何以往的多门晶体管都要高出50%，这比国际半导体技术蓝图(International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS)的2009年的计划还要超前，但是，由于该技术与目前的制造工艺高度相关，因此，AMD认为，该产品达到大规模的量产要到2007年。AMD 的副总裁Craig Sander表示：“这项新技术使多门晶体管变为产品更靠近了一步。”, http://www.100md.com(阮晓毅)
AMD的研究人员称，他们目前进行的研究是在最大化增强晶体管开关性能的同时降低功耗，这需要将几种最新的技术运用在一个独立的结构上。作为微处理器的主要工作部件，晶体管是一些微小的开关，它们控制着电流的开与关。因此，性能更好的晶体管在很大程度上意味着性能更好的微处理器。
一种运用了完全衰竭绝缘硅(fully depleted silicon-on-insulator，FDSOI)技术的极细的电子通道是这种三门晶体管的关键部分之一，它将围绕在由镍硅合金制成的闸极的3个侧面外。这种结合了FDSOI技术和镍硅合金闸极的晶体管将增强硅晶格中携带电子的能力。
进一步说，多门以及FDSOI的结构将增强晶体管中电子通路的有效宽度并能够提供更好的控制电子的能力。这些均能使晶体管的整体性能有明显增强。
AMD这项设计的性能比任何以往的多门晶体管都要高出50%，这比国际半导体技术蓝图(International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS)的2009年的计划还要超前，但是，由于该技术与目前的制造工艺高度相关，因此，AMD认为，该产品达到大规模的量产要到2007年。AMD 的副总裁Craig Sander表示：“这项新技术使多门晶体管变为产品更靠近了一步。”, http://www.100md.com(阮晓毅)