Ｎａｎｄ闪存达到４Ｇｂ
SanDisk和Toshiba最近加大了合作开发Nand型闪存的力度，通过采用9 0 n m 工艺的多级蜂窝(Multilevel Cell)技术实现了4Gb容量的存储芯片。与此同时，他们的合作伙伴还利用该芯片开发出双倍容量(8Gb)的堆叠芯片。预计样品即将上市，4Gb 和8Gb 的售价分别为113 和226 美元。另外，堆叠了4 块4Gb Nand 芯片的封装样品计划于2004 年第三季度前上市。
Toshiba方面称，通过将页面尺寸从现有的512+12 字节提升到4 倍于它的2048+64 字节水平，新型Nand闪存的写入速度较以往提升了8倍，对执行程序的响应速度也翻了1倍。Toshiba和SanDisk计划在各自的板卡产品中采用这种新型Nand闪存，其中Toshiba还有望将该闪存向OEM 市场开放。, http://www.100md.com(姚 会)
Toshiba方面称，通过将页面尺寸从现有的512+12 字节提升到4 倍于它的2048+64 字节水平，新型Nand闪存的写入速度较以往提升了8倍，对执行程序的响应速度也翻了1倍。Toshiba和SanDisk计划在各自的板卡产品中采用这种新型Nand闪存，其中Toshiba还有望将该闪存向OEM 市场开放。, http://www.100md.com(姚 会)