内存革命的急先锋
如今，芯片制造商们正在寻求一种“梦幻”型内存：成本低廉、读取数据更加快速、并且通用于多种系统，以取代当前的DRAM、SRAM和闪存等存储介质。这些跃跃欲试的新技术一旦成熟走向市场，传统的内存工业将面临一场真正的重新洗牌。受阻的摩尔定律与梦想的通用型内存
计算机芯片厂商们在饱尝了摩尔定律的甜头之后，如今又开始面临这一定律能否继续生效下去的困惑。
在过去的40多年时间里，系统设计者们不断亲历了这样的事实：半导体内存的存储密度每隔18~24个月翻一番，而单芯片价格却基本保持稳定，这使得每字节的存储成本也随之节律性地削减一半。然而，要在硅芯片上制造出容量越来越高、尺寸却越来越小的内存单元，如今已面临严重的技术挑战，因此有的内存厂商已经预言：要让内存的存储密度和成本继续遵循摩尔定律发展下去，必须要在2010年之前找到全新的技术和生产工艺。
研究人员正在开发几种新的内存技术(表1)，以望最终用它们来取代当前流行的三种内存——即成本低、用于PC和服务器的DRAM(Dynamic RAM，动态RAM)；读取速度快、用于处理器缓存和移动设备的SRAM(Static RAM，静态RAM)；非挥发性、用于计算机BIOS和手机等数码产品的闪存(Flash)。
IBM、Intel和其他一些厂商的研究人员普遍设想着开发出一种完全通用的内存技术，以在未来的某一天取代上述的三种产品。IBM的一位内存技术研究主管William Gallagher则把这一设想中的技术比喻为梦幻般的宗教圣杯(Holy Grail)。他还认为：这种通用型内存技术还将改变计算机系统的设计，例如非挥发性内婺苋眉扑慊钠舳凸乇展谭浅？焖伲蛭庵帜诖婕词乖诿挥械缭吹那榭鱿乱材鼙4媸荩约扑慊钠舳棠苁÷源佑才滔蚰诖娴饔檬莸墓蹋鼗逃帜苁÷源幽诖嫦蛴才贪踩阜菔莸墓獭allagher预计这种通用型内存技术的出现或许还需要至少10~15年的时间 ......
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