半导体激光治疗耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法耳再造术后耳廓多毛疗效观察(2)
3 讨论
Lightsheer半导体激光系统的原理为1983年Tierney和Goldberg提出的“选择性光热作用理论”[6]。毛囊干细胞位于外毛根鞘的隆突部、立毛肌的附着点附近，从而使毛囊球部及毛囊隆突部均成为长久性毛囊破坏的重要靶位点[7]。Lightsheer半导体激光波长为800nm，能穿透皮肤达到真皮层毛囊组织，能以毛囊内的黑素为靶目标，使其在瞬间吸收大量光能并转化为热量，加热并选择性摧毁生发基质干细胞，可同时破坏毛囊及毛球，达到永久脱毛的目的。表皮、氧合血红蛋白等都有竞争性的色素基团，但在690～1 100nm的光谱之间，它们对光的吸收率相对较低[8]，于是只要设计适合的波长以及适宜的脉宽就可以达到安全、高效脱毛的目的。
脱毛激光的有效波长在695～1 000nm。表皮的热弛豫时间为3～10ms，而毛囊的热弛豫时间为40～100ms ......
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Lightsheer半导体激光系统的原理为1983年Tierney和Goldberg提出的“选择性光热作用理论”[6]。毛囊干细胞位于外毛根鞘的隆突部、立毛肌的附着点附近，从而使毛囊球部及毛囊隆突部均成为长久性毛囊破坏的重要靶位点[7]。Lightsheer半导体激光波长为800nm，能穿透皮肤达到真皮层毛囊组织，能以毛囊内的黑素为靶目标，使其在瞬间吸收大量光能并转化为热量，加热并选择性摧毁生发基质干细胞，可同时破坏毛囊及毛球，达到永久脱毛的目的。表皮、氧合血红蛋白等都有竞争性的色素基团，但在690～1 100nm的光谱之间，它们对光的吸收率相对较低[8]，于是只要设计适合的波长以及适宜的脉宽就可以达到安全、高效脱毛的目的。
脱毛激光的有效波长在695～1 000nm。表皮的热弛豫时间为3～10ms，而毛囊的热弛豫时间为40～100ms ......
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