以往的相關研究多采用急性应激刺激，包括电击、空瓶刺激、强迫游泳、寒冷、次声、急性社交挫败等[19-24]。急性应激刺激诱发的c-Fos表达部位涉及额叶皮质、扣带皮质、中央杏仁核、前连合核、下丘脑背内侧核弥散部、下丘脑室旁核、室周核、弓状核、孤束核、丘脑外侧备核、伏隔核、终纹床核等。慢性应激后，c-Fos的表达部位主要涉及下丘脑室旁核、室周核、弓状核、vHPC、背侧海马、mPFC、杏仁核、前扣带皮质、纹状体、伏隔核等[22，25-28]。本研究应用的是4 d反复禁锢亚急性应激方式，实验结果显示，4 d反复禁锢应激诱导的c-Fos在目的脑区均有表达，提示这种持续时间在2周以内的亚急性应激刺激诱导的c-Fos表达脑区分布更接近于以往报道的慢性应激刺激。另外，本研究在高架十字迷宫测试结束后立即进行灌注取脑 ......